2：電力晶體管

電力晶體管（Giant Transistor——GTR，直譯為巨型晶體管）。

耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有時候也稱為Power BJT。

應(yīng)用：20世紀80年代以來，在中、小功率范圍內(nèi)取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和電力MOSFET取代。在應(yīng)用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法。

共發(fā)射極接法時的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。在電力電子電路中GTR工作在開關(guān)狀態(tài)。在開關(guān)過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時，要經(jīng)過放大區(qū)。

3：電力場效應(yīng)晶體管

通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide   Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET）

電力MOSFET的種類：電力MOSFET主要是N溝道增強型。

電力MOSFET的結(jié)構(gòu)

小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷ｋ娏OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。

導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS

靜態(tài)特性

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性。

工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。

僅限在校大學生參與

想要獲得國網(wǎng)考試真題？

想要獲得學霸筆記？

點擊預(yù)約獲取全部習題及答案

點擊預(yù)約?福利

招聘公告解讀、網(wǎng)申報考指導(dǎo)、電網(wǎng)備考資料、國網(wǎng)最新資訊